- Имя: Жорес Иванович Алфёров
- Род деятельности: Учёный-физик, политический деятель
- Дата рождения: 15 марта, 1930
- Дата смерти: 1 марта, 2019 (88 лет)
- Место рождения: Витебск, Белорусская ССР, СССР
Жорес Иванович Алфёров — российский физик, лауреат Нобелевской премии, известный своим вкладом в создание современной физики гетероструктур.
Родившись во второй четверти двадцатого века в семье белорусов, он проявил интерес к полупроводникам, когда был студентом третьего курса Ульяновского электротехнического института в Ленинграде. Получив оттуда степень бакалавра, он сразу же поступил в Физико-технический институт им. Иоффе в качестве младшего научного сотрудника. Там он попал в коллектив молодых ученых и начал работать над германиевыми фотодиодами и кремнием. Вскоре их попросили построить специальный полупроводниковый прибор для первой советской атомной подводной лодки. Работая в команде, они не только выполнили проект в рекордно короткие сроки, но Алфёров был особенно отмечен за его вклад и был удостоен первой из многих государственных наград, которые он получил позже.
Интересно, что он получил степень кандидата наук через три года после этой работы, а докторскую степень — почти через двенадцать лет. Тем временем он сделал немало изобретений и стал сначала старшим научным сотрудником, затем заведующим лабораторией и, наконец, директором института. За свою жизнь он написал 4 книги, 400 статей и сделал 50 изобретений.
Ранняя жизнь
Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 года в Витебске в Белоруссии, которая тогда была в составе СССР, а сейчас находится в составе Республики Беларусь. Оба его родителя, Иван Карпович Алфёров и Анна Владимировна, были белорусского происхождения.
Его отец, Иван Карпович Алфёров, был членом партии большевиков. Он сохранил приверженность коммунистическим принципам всю свою жизнь и впитал их в своих детей. За свою жизнь он работал директором фабрики и работал в разных городах. Позже он стал директором того же хозяйства.
Мать Жореса Анна была библиотекарем, а также возглавляла общественную организацию домохозяек. У него также был старший брат по имени Маркс, который умер в 1944 году, сражаясь во Второй мировой войне. Юный Жорес очень его обожал и сильно пострадал от его смерти.
После войны Жорес поступил в единственную школу для мальчиков в разрушенном городе Минске и окончил ее в 1947 году. В этот период он испытал сильное влияние своего учителя физики Якова Борисовича Мельцерсона и под его влиянием развил интерес к предмету. По совету Мельцерсона он затем поступил на факультет электроники Ульяновского электротехнического института в Ленинграде. Здесь он проявил интерес к исследовательской работе и на третьем курсе начал работать над полупроводниками и вакуумными процессами; окончил его со степенью бакалавра электроники в декабре 1952 года.
Карьера
30 января 1953 года Жорес Иванович Алферов поступил в Физико-технический институт, ныне Физико-технический институт им. Иоффе, младшим научным сотрудником. Совместно с группой молодых исследователей 5 марта того же года они создали первый советский транзистор с p-n переходом. Постепенно их команда стала расширяться. За очень короткий срок они создали первые советские германиевые выпрямители тока. Параллельно продолжалась работа с германиевыми фотодиодами и кремнием.
В мае 1958 года команде было предложено разработать специальное полупроводниковое устройство для первой советской атомной подводной лодки. Это означало, что им придется не только построить еще один германиевый выпрямитель мощности, но и разработать новую технологию. К октябрю они выполнили свою миссию. В 1959 году за эту работу получил орден «Знак Почета». Это была первая из многих государственных наград, которые он получил позже.
В 1961 году Алферов получил степень кандидата технических наук (эквивалентную MS) в том же институте. Его диссертация была связана с разработкой силовых германиевых и частично кремниевых выпрямителей. Работа способствовала развитию советской силовой полупроводниковой электроники.
С 1962 года Алферов начал работать над полупроводниковыми гетероструктурами AIIIBV и в следующем году предложил первый лазер на гетероструктурах. В следующем, 1964 году, его повысили до должности старшего научного сотрудника, и он продолжил работу над ней.
В 1966 году Алферов и его группа исследователей разработали первое практическое электронное устройство на гетероструктуре. Затем они приступили к созданию первых электронных компонентов, сделанных из гетероструктур, в том числе первого лазера на гетероструктурах, устройства, которое он предложил в 1963 году.
В 1967 году он был переведен на должность старшего научного сотрудника и возглавил лабораторию Физико-технического института. Где-то в том же году он посетил лаборатории STL в Харлоу. Он обнаружил, что они хорошо оборудованы, но ученых больше интересовал теоретический аспект гетероструктур.
Вернувшись в Ленинград, он продолжил работу в том же направлении и в 1968-1969 гг. Смог управлять электронным и световым потоками в классических гетероструктурах на основе системы арсенид-галлий-арсенид-алюминий. В том же 1969 году он совершил свою первую поездку в Соединенные Штаты Америки.
Однако Алферов еще не защитил докторскую диссертацию, и поэтому в 1970 году он представил суть своих экспериментов в качестве докторской диссертации, получив в том же году докторскую степень. Также в 1970 году они создали гетероструктуры на основе солнечных элементов, которые позже были установлены на Спутнике.
Под его руководством в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе велись работы на стационарном участке. В 1987 году он был назначен директором института, а с 1989 года работал вице-президентом Академии наук СССР и президентом ее Санкт-Петербургского научного центра.
Впоследствии Алферов занялся политикой и в 1995 году стал депутатом Государственной Думы от «Нашего дома — России». Позже он вступил в Коммунистическую партию Российской Федерации и был переизбран в Думу в 1999, 2003 и 2007 годах в качестве ее представителя.
Основная работа
Жорес Иванович Алферов наиболее известен своими передовыми исследованиями полупроводниковых гетероструктур AIIIBV. Работа включала подробные исследования процессов эпитаксии, свойств инжекции, лазеров, светодиодов, солнечных элементов и т. д.
Работа Алферова в этом отношении легла в основу оптических полупроводников и солнечных элементов. Это не только сделало возможной советскую программу Спутник, но и заложило основу для развития считывателей штрих-кодов, сотовой телефонной связи и т. д.
Награды и достижения
В 2000 году Алферов совместно получил Нобелевскую премию по физике «за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокоскоростной и оптоэлектронике». Он разделил приз с Гербертом Кремером, который работал независимо над той же темой, и Джеком Килби, который изобрел интегральную схему.
Помимо этого, он получил множество других премий, включая премию «Глобальная энергия» (2005 г.), Киотская премия в области передовых технологий (2001 г.), Демидовская премия (1999 г.), премия Иоффе (Российская академия наук, 1996 г.), Государственная премия СССР (1984 г.). , Ленинская премия (1972 г.), медаль Стюарта Баллантина (1971 г.) и Золотая медаль Института Франклина (1971 г.).
Личная жизнь
В 1967 году Алферов женился на Тамаре Дарской, которая работала на большом космическом предприятии под руководством академика В.П. Глушко в Москве. Поэтому около полугода Алферову приходилось еженедельно ездить из Ленинграда в Москву. Позже переехала в Ленинград.
Алферов был главным редактором российского журнала «Письма в журнал технической физики» и членом редколлегии российского журнала «Наука и жизнь».
Когда в 2007 году Русская православная церковь попыталась внедрить основы религиозного образования в систему народного образования, Алферов был в числе десяти выдающихся академиков, которые написали открытое письмо президенту, в котором выразили озабоченность по поводу клерикализации общества.
Жорес Иванович Алфёров умер 1 марта 2019 года.
Загрузка...
